Milano, 17 ottobre 2024 – Canon annuncia il lancio dello stepper i-line1 FPA-3030i6, un nuovo sistema di litografia per semiconduttori dedicato alla lavorazione di wafer con un diametro di 8 pollici (200 mm) o inferiore.
FPA-3030i6 impiega un’innovativa lente di proiezione che vanta elevate caratteristiche di trasmittanza e stabilità nel tempo. Il sistema riduce le aberrazioni ottiche per i processi di esposizione ad alte dosi e incrementa la produttività diminuendo il tempo di esposizione.
La lente è realizzata con materiale ad alta trasmittanza che riduce di oltre il 50%2 le aberrazioni durante l’esposizione3 rispetto ai precedenti modelli di stepper4. Inoltre, la trasmittanza elevata contribuisce alla riduzione del tempo di esposizione senza compromettere la qualità dell’immagine, anche in condizioni di esposizione ad alte dosi.
Il miglioramento della trasmittanza aiuta ad aumentare l’intensità dell’esposizione e, di conseguenza, a ridurre il tempo di esposizione richiesto per ogni processo. FPA-3030i6 assicura un incremento della produttività standard5 da 123 wafer all’ora dei precedenti modelli a 130 wafer all’ora.
Inoltre, grazie all’elevata affidabilità della lente è fortemente limitata la riduzione della trasmittanza nel tempo così da mantiene inalterata la produttività della attrezzatura per tutto il suo ciclo di vita.
Inoltre, la gamma di valori selezionabili per NA (apertura numerica) è stata ampliata da 0,45~0,63 del modello precedente a 0,30~0,63. La disponibilità di valori inferiori di NA consente ai clienti di ottimizzare l’apertura numerica per ogni livello di mascheratura.
È possibile includere nell’ordine diversi componenti opzionali tra i quali un sistema di gestione di substrati speciali, in grado di soddisfare le esigenze degli utenti per la produzione di dispositivi a semiconduttore di nuova concezione, come per esempio i dispositivi “green” ad alta potenza e alta efficienza.
Il modello FPA-3030i6 è progettato per supportare la fabbricazione di un’ampia gamma di dispositivi grazie alle numerose opzioni disponibili per la lavorazione di silicio (Si), zaffiro e materiali semiconduttori composti, come il carburo di silicio (SiC), il nitruro di gallio (GaN) e l’arseniuro di gallio (GaAs).
Canon offre una serie di opzioni di trasporto dei wafer che consentono di processare substrati da 2 pollici (50 mm) a 8 pollici (200 mm) di diametro, oltre a substrati ad alto e basso spessore e/o deformati.
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1 Sistema di litografia per semiconduttori che utilizza una sorgente luminosa i-line (lampada al mercurio, lunghezza d’onda di 365 nm) – 1 nm (nanometro) = 1/1 miliardo di metri
2 Alle condizioni di esposizione standard di Canon
3 Alle condizioni di esposizione standard di Canon
4 FPA-3030i5a (presentato a marzo 2021)
5 Wafer da 8 pollici (200 mm)
